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电子元器件详细资料 » IC[27099] » SIE882DF-T1-GE3
型号:SIE882DF-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:10-PolarPAK?(L)描述:MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.4 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs145nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6400pF @ 12.5V
功率_最大125W
安装类型表面贴装
封装/外壳10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装10-PolarPAK?(L)
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
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